Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ

Номер публикации патента: 2025831

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4934493 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/06    
Аналоги изобретения: С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.1, гл.6, М.: Мир, 1984. 

Имя заявителя: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 
Изобретатели: Гергель В.А.
Ильичев Э.А.
Онищенко В.А.
Полторацкий Э.А.
Родионов А.В.
Тарнавский С.П.
Федоренко А.В. 
Патентообладатели: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 

Реферат


Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на δ-легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия. Между электродом затвора и d-легированным слоем расположен слой арсенида галлия p - типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"