На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ | |
Номер публикации патента: 2025831 | |
Редакция МПК: | 5 | Основные коды МПК: | H01L029/06 | Аналоги изобретения: | С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.1, гл.6, М.: Мир, 1984. |
Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | Изобретатели: | Гергель В.А. Ильичев Э.А. Онищенко В.А. Полторацкий Э.А. Родионов А.В. Тарнавский С.П. Федоренко А.В. | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на δ-легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия. Между электродом затвора и d-легированным слоем расположен слой арсенида галлия p - типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. 1 ил.
|