|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, УСТОЙЧИВЫЙ К ОБРАТНОМУ ВТОРИЧНОМУ ПРОБОЮ |  |
Номер публикации патента: 2024995 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | Патент Великобритании N 2128022, кл. H 01L 27/08, 1984. |
| Имя заявителя: | Завод "Искра" | | Изобретатели: | Насейкин В.О.
Королев А.Ф.
Гордеев А.И.
Сандина Н.М. | | Патентообладатели: | Завод "Искра" |
Реферат | |
Применение: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базовой областью основного транзистора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента