Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, УСТОЙЧИВЫЙ К ОБРАТНОМУ ВТОРИЧНОМУ ПРОБОЮ

Номер публикации патента: 2024995

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5003459/25 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/72    
Аналоги изобретения: Патент Великобритании N 2128022, кл. H 01L 27/08, 1984. 

Имя заявителя: Завод "Искра" 
Изобретатели: Насейкин В.О.
Королев А.Ф.
Гордеев А.И.
Сандина Н.М. 
Патентообладатели: Завод "Искра" 

Реферат


Применение: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базовой областью основного транзистора.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"