|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ P - N - ПЕРЕХОД |  |
Номер публикации патента: 2019894 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1039413, кл. H 01L 29/72, 1982. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" | | Изобретатели: | Гордеев А.И.
Насейкин В.О.
Королев А.Ф.
Сандина Н.М.
Куц В.А.
Андреева Е.Е. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" |
Реферат | |
Использование: производство полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: планарный p-n-переход имеет две области различного типа проводимости, причем p-n-переход имеет замкнутую конфигурацию. Вокруг внутренней области сформированы кольцевые зоны одинаковой с ней проводимости в виде соединенной с внутренней областью и развивающейся к периферии спирали с расстояниями между витками спирали меньше области пространственного заряда в приповерхностном слое полупроводника при напряжении поверхностно
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента