На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МАГНИТОТРАНЗИСТОР | |
Номер публикации патента: 2008748 | |
Имя заявителя: | Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова | Изобретатели: | Викулин И.М. Глауберман М.А. Егоров В.В. Козел В.В. Лукоянов С.А. Невзоров В.В. Смеркло Л.М. Шнайдер И.П. | Патентообладатели: | Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова |
Реферат | |
Использование: при создании измерительных приборов и автоматических систем управления. Сущность изобретения: предлагается двухколлекторный планарный магнитотранзистор, сформированный в эпитаксиальном слое первого типа проводимости, выращенном на подложке второго типа проводимости, содержащий два параллельных полосковых базовых электрода первого типа проводимости, между которыми расположены две полосковые коллекторые области второго типа проводимости, направленные перпендикулярно базовым электрода
|