|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1827151 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Международная заявка РСТ Е82/00265, кл. H 01L 23/56, H 02H 9/04, 1982. 2. Патент США N 4291319, кл. H 01L 29/90, 1981. |
| Имя заявителя: | Кондрашов В.В. | | Изобретатели: | Кондрашов В.В.
Мурзин С.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" |
Реферат | |
Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем конструкция активной базы стабилитрона обеспечивает пробивное направление между коллектором и эмиттером стабилитрона ниже пробивного напряжения между коллектором и эмиттером рабочей транзисторной структуры при ее разомкнутой базе. Новым в транзисторе является то, что активная база защитного стабилитрона имеет ячеистую структуру переменной ширины и степени легирования, где относительно мелкие и слаболегированные области-ячейки окружены относительно глубокими и сильнолегированными разделительными областями, а ширина и степень легирования активной базы защитного стабилитрона в указанных областях-ячейках меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры. 1 з.п. ф-лы. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента