|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 1827150 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент Великобритании N 2026236А, кл. H 01L 29/72, 1980. 2. Патент ЕВП N 0064614, кл. H 01L 29/08, 1987. |
| Имя заявителя: | Кондрашов В.В. | | Изобретатели: | Кондрашов В.В.
Мурзин С.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" |
Реферат | |
Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою. Сущность: мощный биполярный транзистор содержит в монокристаллической полупроводниковой подложке по крайней ней мере один слой первого типа проводимости, образующий коллекторную область, один слой второго типа проводимости, сопряженный с указанной коллекторной областью и образующий базовую область, и по крайней мере один слой первого типа проводимости, сформированный в базовой области и образующий змиттерную область транзистора, имеющую переменную глубину и степень легирования. Новым в транзисторе является то, что его эмиттерная область состоит из двух зон, в которых указанные глубина и степень легирования изменяются не дискретно, а непрерывно, увеличиваясь или уменьшаясь с некоторым постоянным градиентом по направлению к центру указанной эмиттерной области. 3 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента