На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МДП - ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 1809707

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4937241		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: электронная техника и при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП транзистор включает выполненный на поверхности полупроводниковой подложки затвор с вертикальными стенками и пристеночными диэлектрическими областями, сформированные в полупроводниковой подложке по обе стороны от затвора исток-стоковые области, образованные слоями с примесной проводимостью одного и того же типа, но с различной концентрацией, причем диффузионный профиль области с меньшей концентрацией, залегающий на меньшей глубине, совмещен с краем затвора, а диффузионный профиль области с большей концентрацией, залегающей на большей глубине, совмещен с наружным краем пристеночной области, выполненный между слоями с меньшей и большей концентрациями, дополнительный третий слой с примесью того же типа проводимости, что и у первых двух, причем значение концентрации третьей примеси находится в промежутке между значениями величин концентрации первых двух и его диффузионный профиль лежит между диффузионными профилями первых двух областей. 1 ил. 1 табл.

Вернуться к списку