|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНВЕРТОР |  |
Номер публикации патента: 1649973 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/80 | | Аналоги изобретения: | 1. Ефимов Н.Я. и др. Микроэлектроника. - М.: Высшая школа, 1979, с. 173. 2. L. Nuzillat et al. A. subnanosecond integrated switting circnits with MESFET'S for JSL. J. JEEE, VSC - 11, N 3, 1976, pp. 385-421. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Родионов А.В.
Свешников Ю.Н.
Емельянов А.В.
Кравченко Л.Н.
Зыбин С.Н.
Ильичев Э.А.
Инкин В.Н.
Полторацкий Э.А.
Шме |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000  , с фоновой концентрацией примеси донорного типа 1014см-3, первого сильнолегированного слоя 3 n-типа проводимости, толщиной 30  , с концентрацией примеси 1020см-3 третьего нелегированного слоя 4 арсенида галлия толщиной 1000  с фоновой концентрацией примеси 1014см-3, второго сильнолегированного слоя 5 арсенида галлия р-типа проводимости, толщиной 30  , с концентрацией акцепторной примеси 1014см-3, второго нелегированного слоя 6 арсенида галлия, толщиной 600  с фоновой концентрацией примеси 1014см-3, из областей истоков 7, стоков 8, простирающихся в глубину вплоть до первого нелегированного слоя 2; между соседними транзисторами с разного типа проводимостью областями истоков и стоков выполнена гальваническая связь 9 и 10, между их затворами 11, а также между стоком одного 8 и истоком другого 7. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента