G.L.Kurishev et al. Fabrication and properties of two - dimensional hybrid array sensor on epitaxial n-InAs films. SPIE. Vol.2746, 1996, с.268-276. RU 2339118 C1, 20.11.2008. RU 2341850 C1, 20.12.2008. RU 2054753 C1, 20.02.1996. RU 59923 U1, 27.12.2006. WO 2004086406 A1, 07.04.2004.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Базовкин Владимир Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: устройство считывания сигнального заряда с матричного ПЗИ-фотоприемника, имеющего n строк и m столбцов, содержит n×m входных контактов, ключи выборки, первые, вторые и третьи ключи, многофазный генератор импульсов, первый, второй и третий блоки «или», столбцовую шину, первый, второй и третий сдвиговые регистры, счетчики строк и столбцов, первый и второй дешифраторы, ПЗС-усилитель, ключи налива и слива заряда, первый и второй блоки задержки импульсов и конденсатор С. Техническим результатом изобретения является улучшение качества изображения, кадров, получаемых с выхода устройства при времени накопления, меньшем времени кадра, за счет удаления ложного контура. Устройство позволяет существенным образом подавить паразитный контур при работе с временами накопления меньше кадрового и улучшить качество изображения. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента