Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С РАЗМЕРНЫМ КВАНТОВАНИЕМ ЭНЕРГИИ

Номер публикации патента: 2257642

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2004121434/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/105    
Аналоги изобретения: ПОЖЕЛА Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Монография. АНЛитССР. Институт физики полупроводников. - Вильнюс: Мокслас, 1989, с.264, рис.5.19. ШУР М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991, с.572, рис.10.16.1. RU 2183885 C1, 20.06.2002. ЕР 0940855 А2, 08.09.1999. JP 3004540 А, 10.01.1991. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 
Изобретатели: Коноплев Б.Г. (RU)
Рындин Е.А. (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 

Реферат


Использование: изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение быстродействия транзистора за счет обеспечения высокой подвижности электронов в канале при высокой их концентрации, снижения скорости деградации характеристик транзистора, обеспечения пентодных выходных характеристик короткоканального транзистора, позволяющих пр


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"