На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ БИПОЛЯРНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер публикации патента: 2111578

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  97107881		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, комплементарные биполярные транзисторные структуры интегральных схем. Сущность изобретения: комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы содержит биполярные n-p-n- и p-n-p-транзисторы, выполненные в многослойной полупроводниковой структуре и изолированные областями диэлектрика. Проводники к областям эмиттера, базы и коллектора каждого транзистора присоединены к соответствующим областям и изолированы слоями диэлектрика. Область коллектора p-n-p-транзистора отделена от подложки p-типа проводимости областью n-типа проводимости. Проводники к областям эмиттера n-p-n-транзистора и базы p-n-p-транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния первого уровня, легированного донорной примесью, проводники к областям базы n-p-n-транзистора и эмиттера p-n-p-транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния второго уровня, легированного примесью. Области эмиттеров указанных транзисторов сформированы диффузией из легированных поликремниевых проводников к этим областям. Проводники к областям коллекторов транзисторов выполнены из металла и присоединены к соответствующим областям на дне сформированных в структуре углублений. Расстояния между проводниками к областям транзисторов определены толщиной слоев диэлектрика, изолирующих проводники. Изобретение обеспечивает повышение плотности упаковки и быстродействия ИС. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Вернуться к списку