СПОСОБ ЗАЩИТЫ ОТ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В УСТРОЙСТВЕ ТРЕХМЕРНОЙ (3 - D) МНОГОУРОВНЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, УСТРОЙСТВО (3 - D) МНОГОУРОВНЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: устройство трехмерной (3-D) многоуровневой интегральной схемы содержит первый и второй полупроводниковые кристаллы, наложенные друг на друга, множество сквозных переходных отверстий, сформированных, чтобы проходить, по существу, между активными слоями первого и второго полупроводниковых кристаллов, и выполненных с возможностью обеспечения связи между первым и вторым полупроводниковыми кристаллами, и активную схему, сформированную, по меньшей мере, частично внутри, по меньшей мере, одного из множества сквозных переходных отверстий, причем первый и второй полупроводниковые кристаллы совместно используют активную схему, по меньшей мере, для защиты от электростатического разряда. Изобретение позволяет осуществить экономию пространства и сократить площадь кристалла, требуемую для схемы ESD-защиты. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 12 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента