Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) Ганюшкина Нина Валентиновна (RU) Пчелин Виктор Андреевич (RU) Чепурных Игорь Павлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение теплоотвода от кристаллов транзисторов, улучшение электрических и массогабаритных характеристик, а также повышение технологичности мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит транзисторы, которые выполнены в виде кристаллов с плоскими балочными выводами. На металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке и расположен в нем, при этом высота выступа обеспечивает расположение его верхней плоскости заподлицо с лицевой стороной диэлектрической подложки. На верхней плоскости выступа выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристалла одного из транзисторов, соединенных с топологическим рисунком металлизации. На верхней плоскости выступа металлического теплоотводящего основания, по крайней мере, с одной стороны кристалла одного из транзисторов выполнена, по крайней мере, одна монтажная площадка, которая снабжена металлической хорошо электро- и теплопроводящей пластиной и соединена с ней. В этой металлической пластине выполнена, по крайней мере, одна канавка, в которой расположен кристалл другого транзистора, при этом она выполнена сквозной со стороны его плоских балочных выводов, соединенных с топологическим рисунком металлизации, соразмерна ему. Другие плоские балочные выводы кристаллов транзисторов соединены с выступом на металлическом теплоотводящем основании. Ширина кристалла транзистора равна ширине выступа металлического теплоотводящего основания и ширине хорошо теплопроводящей пластины, а толщина дна канавки и расстояние от края канавки до ближайшего края пластины выбраны такими, что обеспечивается минимальная разность максимальных температур нагрева кристаллов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента