На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА | |
Номер публикации патента: 2185687 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | Аналоги изобретения: | US 4327399 А, 27.04.1982. RU 2067363 С1, 27.09.1996. US 4106188 А, 15.08.1978. WO 9401889 А1, 20.01.1994. ИОВДАЛЬСКИЙ В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, вып. 1(467), 1996, с.34-38. |
Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR),Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) | Изобретатели: | Иовдальский В.А. (RU) | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО. ЛТД. (KR) Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, в которой диэлектрическая плата выполнена из двух частей, герметично соединенных обратными сторонами, кристаллы расположены в углублениях с отверстиями в дне, заполненными электропроводящим материалом.
|