Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА

Номер публикации патента: 2183367

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98112769/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/02   H01L025/16    
Аналоги изобретения: WO 94/01889 А1, 20.01.1994. ЕР 0288052 А2, 26.10.1988. RU 2004036 С1, 30.11.1993. RU 2025822 С1, 30.12.1994. ИОВДАЛЬСКИЙ В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. - Электронная техника, сер.1, вып.1 (467), 1996, с.34-39. 

Имя заявителя: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) 
Изобретатели: Иовдальский В.А. 
Патентообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич 

Реферат


Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и углублениями, в которых с помощью связующего вещества закреплены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов. Лицевая поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площадки кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации. Стенки углублений выполнены наклонными. Угол α наклона стенок углублений к плоскости платы составляет 90,1-150o, для кристалла размером 0,5•0,5•0,15 мм и размер углубления 0,6•0,6•0,16 мм. Техническим результатом изобретения является повышение воспроизводимости электрических параметров и технологичность. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"