Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

Номер публикации патента: 2161347

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98112603/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/02   H01L025/16    
Аналоги изобретения: ИОВДАЛЬСКИЙ В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. Электронная техника, сер.1, СВЧ-техника, вып.1 (467), 1996, с.34-39. EP 0334397 A, 27.09.1989. RU 2025822 C1, 30.12.1994. RU 2004036 C1, 30.11.1993. RU 2067363 C1, 27.09.1996. WO 94/01889 A1, 20.01.1994. 

Имя заявителя: Самсунг Электроникс Ко., Лтд (KR),Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) 
Изобретатели: Иовдальский В.А.(RU) 
Патентообладатели: Самсунг Электроникс Ко.
Лтд (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) 

Реферат


Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема содержит металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и по меньшей мере с одной монтажной площадкой, расположенной в углублении на лицевой стороне платы на теплоотводе.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"