US 2005/0067707 A1, 31.03.2005. US 2002/0195723 A1, 26.12.2002. US 6737714 B2, 18.05.2004. US 6313537 B1, 06.11.2001. ЕР 1598863 A1, 23.11.2005. JP 2005276999 A, 06.10.2005. SU 1044203 A, 23.04.1988.
Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит полупроводниковую подложку, слой межсоединений, расположенный на полупроводниковой подложке, межслойную изоляционную пленку и проводящий слой, которые расположены на слое межсоединений так, что проводящий слой образует сотовую структуру относительно плоскости, параллельной главной плоскости полупроводниковой подложки, а межслойная изоляционная пленка заполняет шестиугольные столбики сотовой структуры так, чтобы она была электрически соединена со слоем межсоединений, и самый верхний слой межсоединений, расположенный на межслойной изоляционной пленке и проводящем слое так, чтобы он был электрически соединен со слоем межсоединений посредством проводящего слоя. Изобретение направлено на то, чтобы предложить полупроводниковое устройство, имеющее структуру, способную ослабить механическое напряжение, прикладываемое к контактной площадке. 19 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента