На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА

Номер публикации патента: 95111200

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95111200

Реферат

Способ относится к области электронной и космической техники. Способ позволяет испытывать биполярные полупроводниковые приборы на тойкость к комплексному воздействию протонного и электронного излучения космического пространства и получать достоверные результаты. В качестве моделирующих излучений предусматриваются излучения с малыми плотностями потоков, а именно реакторное излучение и излучение радионуклеидного источника. Сочетание этих источников позволяет при выполнении соотношений

где N(ТД)КП, N(ОР)КП - плотности первично выбитых атомов в единицу времени, образующихся в кристалле изделия при комплексном воздействии на него протонно-неитронного излучения космического пространства и создающих в нем соответственно точечные дефекты и области разупорядочения, атом/см³·c, N(ТД)мод, N(ОР)мод - плотности первично выбитых атомов в единицу времени, образующихся в кристалле изделия при воздействии на него моделирующих излучений и создающих в нем соответственно точечные дефекты и области разупорядочения, и времени облучения

где t_кп - время пребывания приборов в космическом пространстве, t_мод - время облучения приборов моделирующими излучениями. Создать в кристалле прибора дефекты максимально приближающиеся по количеству и по качеству к дефектам, возникающим в кристаллах приборов при излучениях космического пространства.

Вернуться к списку