|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ |  |
Номер публикации патента: 940605 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | SU | | Рег. номер заявки: | 3257768 |
|
|
|
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3877063, кл. 357-71, опублик. 1975. 2. Технический отчет по НИР Принцип. МЭП, 1970, с. 82. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Диковский В.И.
Каусова А.И.
Назаревская Н.И.
Копицын В |
Реферат | |
Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 - 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют дополнительные слои металла и SiO2 из контактных окон.
|
Поиск патентов