На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ

Номер публикации патента: 94030215

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94030215

Реферат

Изобретение относится к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем и может быть использовано для оптимизации технологических процессов. Сущность способа: освещают локальную область поверхности пластины модулированным монохроматическим излучением на разных длинах волн и измеряют сигналы фото-ЭДС. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фото-ЭДС от них и измеряют сигналы фото-ЭДС на выбранных потоках. Освещают симметричную область на обратной стороне пластины модулированным монохроматическим излучением на тех же длинах волн. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фото-ЭДС на исходной стороне пластины таким образом, чтобы отношение потоков на каждой длине волны были одинаковыми, и измеряют сигналы фотоЭДС на выбранных потоках. Расчет искомых параметров проводят с использованием всех изморенных значений, учитывая толщину пластины и коэффициенты поглощения. Устройство содержит предметный столик с отверстием, перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения, два оптических элемента формирования пространственно-ограниченного потока излучения, расположенных по разные стороны от плоскости столика и оптически связанных через две оптических системы передачи излучения, а также через оптический коммутатор с источником излучения, датчик фото-ЭДС с электродом емкостной связи, расположенным между одним из оптических элементов к плоскости столика, причем выход датчика фото-ЭДС связан с входом блока регистрации и управления, выход которого связан с источниками излучения. 2 н. и 29 з.п. ф-лы, 2 ил.

Вернуться к списку