D.A.Tsukanov et al. Surface Conductivity of Submonolayer Au/Si System. Phys. Low-Dim. Struct., 1999, v.7/8, p.149. RU 2421847 C1, 20.06.2011. US 7858978 B2, 28.12.2010. WO 2011/015993 A2, 10.02.2011.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU)
Изобретатели:
Саранин Александр Александрович (RU) Зотов Андрей Вадимович (RU) Грузнев Димитрий Вячеславович (RU) Цуканов Дмитрий Анатольевич (RU) Бондаренко Леонид Владимирович (RU) Матецкий Андрей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике включает формирование буферного слоя золота моноатомной толщины с образованием упорядоченного двумерного подслоя Si(111)-3×3-Au, последующее осаждение на двумерный подслой Si(111)-3×3-Au от 1 до 3 слоев фуллеренов с образованием фуллеритоподобной решетки и осажением на подготовленную подложку от 0,6 до 1 монослоя золота в условиях сверхвысокого вакуума при температуре подложки, равной 20°C. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки сверхтонких проводящих нанопленок золота с заданным значением электропроводности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента