Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Красник Валерий Анатольевич (RU) Снегирев Владислав Петрович (RU) Земляков Валерий Евгеньевич (RU) Антонова Нина Евгеньевна (RU) Шпаков Дмитрий Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и травления диэлектриков, гальванического осаждения золота, формирование на лицевой стороне подложки вне топологии транзисторов канавок заданного размера, утонение подложки, формирование сквозных заземляющих отверстий для электродов истока транзисторов, формирование общего интегрального теплоотвода, формирование интегрального теплоотвода каждого кристалла транзистора, разделение полупроводниковой подложки на кристаллы транзисторов, используют полупроводниковую подложку с заданной структурой активных слоев, имеющей два стоп-слоя с заданным расстоянием между ними, обеспечивающим минимальное тепловое сопротивление, а утонение обратной стороны полупроводниковой подложки осуществляют до стоп-слоя, расположенного вблизи этой стороны, а сквозные заземляющие отверстия формируют непосредственно на электродах истока, толщину общего интегрального теплоотвода задают типом последующего монтажа кристалла транзистора. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности путем снижения теплового сопротивления, паразитных последовательного электрического сопротивления и индуктивности заземления электродов истоков, повышение выхода годных, воспроизводимости и расширение функциональных возможностей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента