RU 2143678 C1, 27.12.1999. RU 2054664 C1, 20.02.1996. SU 1829751 A1, 27.08.1996. WO 2005/015196 A1, 17.02.2005. KR 20100097257 A, 03.09.2010. JP 2003329642 A, 19.11.2003.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Изобретатели:
Воронов Юрий Александрович (RU) Веселов Денис Сергеевич (RU) Воронов Сергей Александрович (RU) Орлова Людмила Константиновна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде. Техническим результатом изобретения является возможность получения тонкопленочных (1-5 мкм) диэлектрических мембран по всей площади подложки одновременно и повышение выхода годных датчиков в процессе их изготовления в целом. Сущность изобретения: в способе изготовления универсальных датчиков состава газа, включающем нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке элементов структуры датчика и создание тонкопленочной диэлектрической мембраны методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны, анизотропное травление проводят в два этапа, причем первый до нанесения диэлектрической пленки, а второй после завершения всех операций формирования элементов структуры датчика с предварительной защитой от травителя лицевой стороны подложки. Анизотропным травлением одновременно формируют разделительные полосы между кристаллами глубиной от 30 до 40% от толщины подложки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента