JP 1020663 А, 24.01.1989. JP 2010147385 А, 01.07.2010. US 5998248 А, 07.12.1999. ЕР 1020922 А2, 19.07.2000. RU 2245589 С2, 27.01.2005.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов-сборка" (RU), Бубукин Борис Михайлович (RU), Кастрюлёв Александр Николаевич (RU), Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Изобретатели:
Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов-сборка" (RU) Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП-транзисторам. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии без увеличения размеров кристалла и повышение быстродействия без ухудшения других характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование полупроводниковой подложки первого типа проводимости, затворного электрода, сформированного над подзатворным диэлектриком и отделенного межслойной и боковой изоляцией от металлического электрода истока (эмиттера), канальной области второго типа проводимости и истоковой области первого типа проводимости, сформированных последовательным ионным легированием примесей в окна заданной формы в затворном электроде, и металлического электрода истока, создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом в едином фотолитографическом процессе плазмохимическим слабовыраженным анизотропным травлением с отношением вертикальной к горизонтальной составляющей скоростей травления как (3÷5)/1. 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента