US 5343022 А, 30.08.1994. US 7420143 B2, 02.09.2008. US 2006130763 A1, 22.06.2006. US 5977526 A, 02.11.1999. GB 1193532 A, 03.06.1970. SU 1540043 A1, 30.01.1990.
Имя заявителя:
Закрытое Акционерное Общество "Научное и технологическое оборудование" (RU)
Изобретатели:
Алексеев Алексей Николаевич (RU) Баранов Дмитрий Аркадьевич (RU) Шкурко Алексей Петрович (RU) Погорельский Юрий Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое Акционерное Общество "Научное и технологическое оборудование" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сущность изобретения: в электрическом контакте нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур, содержащем контактный винт с гайкой, при этом нагреватель содержит основание с отверстиями под винты, выполненное из пиролитического нитрида бора, и размещенную на нем нагревательную спираль, выполненную из пиролитического графита, контактный винт и гайка выполнены из металла, при этом гайка подпружинена относительно основания нагревателя пружинным элементом из пиролитического нитрида бора. Пружинный элемент может быть выполнен в виде диска с центральным отверстием, в котором с зазором размещен винт, при этом диск контактирует с гайкой, а между диском и основанием нагревателя размещено упорное кольцо, контактирующее с периферией диска. Обеспечивается упрощение изготовления электрического контакта и возможность значительного уменьшения его размеров, в результате уменьшаются габариты ростового манипулятора и уменьшается минимально возможное расстояние между полупроводниковой подложкой и нагревателем, что позволяет уменьшить выделение тепла в вакуумной камере. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента