Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991, с.128. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1980, с.86-87. RU 2151445 С1, 20.06.2000. RU 2110116 C1, 27.04.1998. RU 1639341 С, 15.06.1994. SU 369651 А, 17.04.1973. US 6600557 В1, 29.07.2003. ЕР 0796933 А2, 24.09.1997.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций. Сущность изобретения: способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций включает травление поверхности кремниевых пластин в селективном травителе, состоящем из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (СН3СООН), в соотношении 5:1:15, при температуре 293 К и времени травления 145±5 минут, при этом количество светящихся точек составляет 5 шт., а суммарное количество дефектов дислокаций 550±50 шт./см2. Изобретение обеспечивает получение ровной и ненарушенной поверхности кремниевых пластин, а также уменьшение длительности процесса.