WO 2004/114391 А, 29.12.2004. NOMURA К. ет al. "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors" NATURE. NATURE PUBLISHING GROUP, LONDON, GB, vol.432, no.25, 25 November 2004 (2004-11-25), pages 488-492. US 2005/199880 A1, 15.09.2005. US 2003/111663 A1, 19.06.2003. RU 2069417 C1, 20.11.1996.
Имя заявителя:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Изобретатели:
ИВАСАКИ Тацуя (JP) КУМОМИ Хидея (JP)
Патентообладатели:
КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Приоритетные данные:
17.03.2006 JP 2006-074630
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить связь между проводящим каналом транзистора и каждым из электродов истока и стока, тем самым сокращая изменение параметров транзистора. 5 н. и 4 з.п. ф-лы, 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента