SU 1440296 A1, 10.12.1995. RU 2084988 C1, 20.07.1997. SU 1321313 A1, 27.11.1995. SU 1817159 A1, 23.05.1993. US 6313534 B1, 06.11.2001. US 5777389 A, 07.07.1998. US 5426331 A, 20.06.1995. US 5260603 A, 09.11.1993.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Солдатенков Федор Юрьевич (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Усикова Анна Александровна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление поверхности структуры фотоэлектрического преобразователя. Затем последовательно напыляют на протравленную поверхность слой титана толщиной 5-30 нм, слой германия толщиной 25-90 нм, слой платины толщиной 25-60 нм и слой золота. Отношение толщины слоя германия к толщине слоя платины равно (1,0-1,9):1. После напыления слоев удаляют фоторезист и отжигают контактную структуру. На слой титана может быть нанесен сначала слой платины, а затем слой германия. Техническим результатом изобретения является уменьшение глубины залегания границы раздела контакт - полупроводник, улучшение ее качества путем повышения ее планарности, улучшение морфологии поверхности контакта при сохранении малых значений сопротивления контакта, что обеспечивает повышение воспроизводимости технологии изготовления контактов с высокими характеристиками и, как следствие, улучшение характеристик приборов, в которых используются такие контакты. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента