

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2376676

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008129507/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/306
Аналоги изобретения:	А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980. 81-96 с. RU 1822299 С, 20.05.1995. JP 2001176862 А, 29.06.2001. JP 2000353696 А, 19.12.2000. US 4681657 А, 21.07.1987.

Имя заявителя:	ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Изобретатели:	Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU) Шахмаева Айшат Расуловна (RU) Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Патентообладатели:	ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. Сущность изобретения: в способе обработки кристаллов кремния после высокотемпературных операций обработку кристаллов кремния проводят в травителе, состоящем из азотной кислоты

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"