RU 2168237 C2, 27.05.2001. RU 2008745 С1, 28.02.1994. RU 2012092 C1, 30.04.1994. US 6465350 B1, 15.10.2002. US 4588610 А, 13.05.1986. WO 2006/034540 А1, 06.04.2006. WO 03/015151 A1, 20.02.2003. JP 63103894 A, 09.05.1988. JP 1241913 A, 28.10.1986.
Имя заявителя:
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Берковиц Владимир Леонидович (RU) Куницына Екатерина Вадимовна (RU) Львова Татьяна Викторовна (RU) Улин Владимир Петрович (RU) Яковлев Юрий Павлович (RU)
Патентообладатели:
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе. Сущность изобретения: способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb осуществляют путем удаления окислов с поверхности GaSb и последующей ее нитридизации погружением поверхности GaSb в щелочной водный раствор гидразина N2H4 концентрацией 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л. Изобретение обеспечивает получение монослойной нитридной пленки, когерентной к исходной поверхности GaSb с сохранением планарности поверхности GaSb. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента