|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕРА ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2349986 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | Китаев М.А., Оболенский С.В. Исследование надежности полевых транзисторов с затвором Шоттки. Труды третьего совещания по проекту НАТО StP-973799 Semiconductors. - Нижний Новгород, 2003. RU 2247403 С1, 27.02.2005. RU 2010004 С1, 30.03.1994. SU 413441 А, 21.05.1974. DE 102005003248 А, 27.07.2006. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (RU) | | Изобретатели: | Романов Вадим Леонидович (RU)
Комаров Михаил Александрович (RU)
Драгуть Максим Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьера Шоттки, и может быть использовано для улучшения и стабилизации их параметров и отбраковки потенциально ненадежных приборов. Сущность изобретения: способ включает формирование активных областей полевого транзистора, напыление омических контактов, формирование затвора типа барьера Шоттки и электротренировку затвора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента