|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СЛОЯ ТИТАН - ГЕРМАНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2343586 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 | | Аналоги изобретения: | Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321. RU 2173913 С2, 20.09.2001. RU 2080686 С1, 27.05.1997. RU 2033659 С1, 20.04.1995. RU 1533135 С, 27.02.1995. SU 1814109 А1, 07.05.1993. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю на посадочную поверхность кристалла проводят последовательное напыление двух металлов титан-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при температуре 280-300°С.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента