|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ В СТРУКТУРЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА И СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА, ИЗГОТОВЛЕННАЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАННОГО СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2324999 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/285 | | Аналоги изобретения: | D.A.Thompson et al. New methods of defect-enhanced quantum well intermixing and demonsyrated-feedback laser modulator. Optoelectronic materials and devices II, Taipei, TW, Proceedings of the spie - The International Society for Optical Engineering, vol.4078, 26 and 28 july 2000, p. 148-161. (1 Introduction, 2 Experiment, fig.1b, 14). Lee A.S.W. et |
| Имя заявителя: | ИНТЕНС ЛИМИТЕД (GB) | | Изобретатели: | НАДЖДА Стивен (GB)
МакДУГОЛ Стюарт Данкан (GB)
ЛИУ Ксуефенг (GB) | | Патентообладатели: | ИНТЕНС ЛИМИТЕД (GB) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления световых устройств, имеющих структуры с квантовыми ямами, и к процессам перемешивания квантовых ям, используемым для регулируемого изменения запрещенной зоны в квантовой яме в предварительно определенных областях структуры. Сущность изобретения: способ перемешивания квантовых ям в структуре полупроводникового устройства предусматривает: а) формирование слоистой структуры с квантовыми ямами, включающей в себя легированный верхний слой; б) формировани
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента