На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНЫХ ОБЛАСТЕЙ КМОП - ТРАНЗИСТОРОВ | |
Номер публикации патента: 2297692 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/28 | Аналоги изобретения: | RU 2185686 С1, 20.07.2002. SU 1641145 A1, 23.09.1992. RU 2116686 C1, 27.07.1998. US 5422290 A, 06.06.1995. |
Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (RU) | Изобретатели: | Манжа Николай Михайлович (RU) Долгов Алексей Николаевич (RU) Еременко Александр Николаевич (RU) | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристаллического кремния, его легирование, формирование затворных областей p- и n- канальных тразисторов, термиче
|