|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХКОРОТКОЙ ДЛИНОЙ КАНАЛА, ПОЛУЧАЕМОЙ НЕЛИТОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ |  |
Номер публикации патента: 2261499 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | ЕР 0902465 А1, 17.03.1999. US 6225201 A1, 01.05.2001. US 6159804 A, 12.12.2000. US 6153477 А, 28.11.2000. US 6034396 А, 07.03.2000. SU 1322929 A1, 15.11.1993. |
| Имя заявителя: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) | | Изобретатели: | ГУДЕСЕН Ханс Гуде (BE) | | Патентообладатели: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) |
Реферат | |
Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования, при этом оставляют открытыми области подложки в виде полосок между первыми электродами, осаждение б
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента