Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС

Номер публикации патента: 2236063

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2002127300/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/762    
Аналоги изобретения: SU 1060066 А1, 27.03.1996. SU 1340500 А1, 20.04.1996. RU 2108638 С1, 10.04.1998. US 6255190 В1, 03.07.2001. US 5643822 А, 01.07.1997. US 4104086 А, 01.08.1978. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) 
Изобретатели: Манжа Н.М. (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) 

Реферат


Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает следующие операции: формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости областей первого и второго типов проводимости, эпитаксиального слоя, диэлектрических слоев, травление щелей в эпитаксиальном, скрытом слоях и в подложке на глубину, равную ширине обедненного заряда донной части р-n перехода скрытый слой - подложка, обеспечивающее вертикальность вытравленных щелей, формирование диэлектрических слоев на вертикальн


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"