|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОЙ ВСТРОЕННОЙ МЕДНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2230391 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 | | Аналоги изобретения: | US 5723387 А, 03.03.1998. US 6214728 В1, 10.04.2001. JP 2001-189295 А, 07.10.2001. RU 2025825 С1, 30.12.1994. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Валеев А.С. (RU)
Орлов С.Н. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: в технологии получения многоуровневой разводки интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенной встроенной медной металлизации интегральных схем на подложку наносят диэлектрическую пленку и формируют в диэлектрической пленке канавки различной формы, наносят проводящую барьерную пленку, состоящую из нескольких проводящих слоев, наносят планаризующий слой из жидкой фазы, стравливают планаризующий слой таким образом, чтобы он оставался только в области к
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента