|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ УСТРОЙСТВАХ НА АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ |  |
Номер публикации патента: 2229755 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | RU 2083030 С1, 27.06.1997. US 4529619 А, 16.07.1985. US 5834796 А, 10.11.1998. US 5155565 А, 13.10.1992. US 5075244 А, 24.12.1991. |
| Имя заявителя: | Рязанская государственная радиотехническая академия (RU) | | Изобретатели: | Вихров С.П. (RU)
Вишняков Н.В. (RU)
Маслов А.А. (RU)
Мишустин В.Г. (RU)
Попов А.А. (RU) | | Патентообладатели: | Рязанская государственная радиотехническая академия (RU) |
Реферат | |
Использование: в электронной технике и микроэлектронике для формирования омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др. на основе аморфного гидрогенизированного кремния, далее а-Si:Н, или других гидрогенизированных неупорядоченных полупроводников.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента