Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Номер публикации патента: 2227344

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2002102040/282002102040/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/338    
Аналоги изобретения: HASEGAWA F. et all, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., Dig. Tech Papers, 1978, p.118.SU 1628766 A1, 27.05.1996.SU 1424630 A1, 20.02.2000.SU 1574110 A1, 27.07.1996. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" 
Изобретатели: Голиков А.В.
Кагадей В.А.
Проскуровский Д.И.
Ромась Л.М.
Широкова Л.С. 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" 

Реферат


Использование: в технологии микроэлектроники при получении дискретных приборов и интегральных схем. В способе изготовления мощных СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки формируют n+-n структуру GaAs путем ионного легирования полуизолирующей подложки с последующим высокотемпературным отжигом. После высокотемпературного отжига на поверхность структуры наносят диэлектрическую пленку, прозрачную для проникновения водорода, проводят обработку структуры в атомарном водороде при температуре 100-200С


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"