|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЦР - ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ВАРИАНТЫ), ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2216818 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 H01L021/8258 H01L027/04 | | Аналоги изобретения: | RU 2120681 С1, 20.10.1998. US 6396024 В1, 28.05.2002. US 4876983 А, 31.10.1989. МОКЕРОВ В.Г. и др. Субчетверть микронная технология полевых транзисторов на псевдоморфных гетероструктурах с квантовой ямой./ Микроэлектроника, 1999, т.28, №1, с.3-15. US 5962909 А, 05.10.1990. Low Temperature growth of silicon nitride by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition. Thin Solid Films, 383 (2002), p.172-177. US 6201243 A, 13.03.2001. KR 9711618, 12.07.1997. RU 2192069 C2, 27.10.2002. US 5981319 A, 09.11.1999. US 4866003 A, 12.09.1989. US 6171917 В1, 09.01.2001. US 5322806 A, 21.06.1994. US 5573979 A, 12.11.1996. EP 1251562 A1, 23.10.2002. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" | | Изобретатели: | Шаповал С.Ю.
Тулин В.А.
Земляков В.Е.
Четверов Ю.С.
Гуртовой В.Л. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента