На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т - ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ | |
Номер публикации патента: 2192069 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/338 | Аналоги изобретения: | RU 2031481 С1, 20.03.1995. SU 1811330 А1, 15.04.1994. US 5861327 А, 19.01.1999. US 5766967 А, 16.06.1998. |
Имя заявителя: | Физико-технологический институт РАН | Изобретатели: | Валиев К.А. Горбацевич А.А. Кривоспицкий А.Д. Окшин А.А. Орликовский А.А. Семин Ю.Ф. Шмелев С.С. | Патентообладатели: | Физико-технологический институт РАН |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового прибора с Т-образной конфигурацией управляющего электрода с помощью оптической литографии используется субмикронная щель во вспомогательном слое диэлектрик-металл, которая создается за счет зазора между двумя маскирующими металлическими слоями, образующегося в результате селективного химического травления открытых от фоторезиста участков первого слоя металла с одновременным по
|