|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ |  |
Номер публикации патента: 2178220 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | V. GRIVIKAS et al, A study of carrier lifetime in silicon by laser-induced absorption: a perpendicular geometry measurement, Solid-State Electronics, 1992, v. 35, № 3, p. 299-310. SU 1356901 A1, 20.12.1991. RU 2006987 C1, 30.01.1994. JP 54116176, 10.09.1979. КУРБАТОВ А.Н. и др. Интерференционный метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах. - Украинский физический журнал, 1985, т. 30, № 6, с. 920-925. RU 2019890 C1, 15.09.1994. JP 11186350, 09.07.1999. SU 1778819 A1, 30.11.1992. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Ахметов В.Д. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Ахметов Владимир Даражатович |
Реферат | |
Изобретение относится к области метрологии, а именно к метрологическому сопровождению технологии получения слитков полупроводникового кремния. Технический результат изобретения состоит в возможности проведения неразрушающей экспрессной томографии времени жизни носителей заряда в слитках кремния практически любых размеров при одновременном принципиально полном устранении паразитного влияния поверхностей рекомбинации на достоверность результатов, а также в устранении необходимости тщательной подготовки поверхности. В способе измерения времени жизни носителей заряда в кремнии, включающем подготовку объекта к измерению, освещение поверхности объекта импульсным лучом накачки, создающим избыточное количество носителей заряда и непрерывным тестирующим излучением с длинами волн больше, чем длина волны импульсного луча накачки, после чего осуществляют пересечение областей импульсного луча накачки и тестирующего излучения внутри измеряемого объекта, принимают прошедшее через объект тестирующее излучение, регистрируют временную зависимость интенсивности выходящего из объекта тестирующего излучения, вычисляют время жизни носителей заряда по измеренной временной зависимости, а затем сканируют указанной областью пересечения объем измеряемого объекта и определяют время жизни носителей заряда для сканируемых областей, в качестве объекта измерения выбирают выращенный слиток кремния, а освещение импульсным лучом накачки проводят с длиной волны 1,15-1,28 мкм, после чего дополнительно регистрируют место выхода импульсного луча накачки из объекта измерения, по которому определяют траекторию импульсного луча накачки внутри объекта. 3 з. п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента