|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТОРОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ |  |
Номер публикации патента: 2170474 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/3205 H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | DE 3402188 A1, 25.07.1985. EP 0341708 A2, 15.11.1989. US 5470780 A, 28.11.1995. JP 03217053 A, 24.09.1991. RU 1828306 A1, 20.07.1996. DE 3613372 A1, 24.09.1987. |
| Имя заявителя: | АООТ "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Горнев Е.С.
Глебов А.С.
Лукасевич М.И.
Дзюбанова В.В.
Манжа Н.М. | | Патентообладатели: | АООТ "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС). Предложенный способ изготовления резисторов в интегральных схемах включает формирование на поверхности пластины кремния слоя диэлектрика, осаждение слоя аморфного кремния, формирование в нем резисторов. Перед формированием в слое аморфного кремния резисторов его отжигают при температуре, большей температуры последующего формирования резисторов и областей структуры ИС. В результате повышается воспроизводимость свойств поликремниевых слоев для изготовления резисторов заданного номинала за счет выбора значения температуры дополнительного отжига. Все это обеспечивает получение высокого процента выхода годных ИС. 3 з.п.ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента