На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ | |
Номер публикации патента: 2168240 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 G01R031/26 | Аналоги изобретения: | RU 2036480 C1, 27.05.1995. Luenera T.F. et al. Neutron demage equvalente for silicon, silicon dioxide and gallium arsenide, IEEE Trans. Nucl. Sci, 1987, V. NS34, № 6, р. 1557. Заитов Ф.А. и др. Радиационная стойкость в оптоэлектронике. - М.: Воениздат, 1987, с. 24. |
Имя заявителя: | Вовк Оксана Валерьевна | Изобретатели: | Вовк О.В. Зинченко В.Ф. | Патентообладатели: | Вовк Оксана Валерьевна |
Реферат | |
Предлагаемый способ относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию нейтронного излучения с энергией 14 МэВ. Технический результат изобретения заключается в осуществлении моделирования воздействия нейтронов с энергией 14 МэВ реакторными нейтронами на фотоприемники с наибольшей достоверностью, сокращении стоимости испытаний. Сущность: для определения стойкости фотоприемников к нейтронному излучению с энергией 14 МэВ используют коэффициенты пересчета (0,8-3,0) относительно эффективности воздействия нейтронов реактора.
|