|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2168239 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Артемов А.Д. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1989, вып.4, с.50 - 56. Tokuda Y., Usami A. Comparisons of neutron and 2-MeV proton in n-type silicon by deep level transient spectroscopy/IEEE Trans. Nucl. Sci - 1981-vol.NS-28, N3, p.3568. McKenzie J.M., Witt L.J. Conversion of neutron spectra to thein 14 MeV equvalences/IEEE Trans.Nucl. Sci-1972-vol. NS-19, N6, p.194-199. US 5804459 A, 08.09.1998. RU 2009574 C1, 15.03.1994. |
| Имя заявителя: | Вовк Оксана Валерьевна | | Изобретатели: | Вовк О.В.
Зинченко В.Ф. | | Патентообладатели: | Вовк Оксана Валерьевна |
Реферат | |
Изобретение относится к области радиационных испытаний полупроводниковых приборов. Способ заключается в облучении фотоприемников импульсным гамма-нейтронным реакторным излучением и измерении фотоэлектрических параметров до и после облучения, по изменению которых определяется радиационная стойкость фотоприемников.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента