|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2152108 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | RU 2034364 C1, 30.04.1995. Достанко А.П. и др. Пленочные токопроводящие системы СБИС. - Минск: Высшая школа. 1989, с.238. Громов Д.Г. и др. Свойства контактной системы TiN/CoSi |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон",Московский государственный институт электронной техники | | Изобретатели: | Громов Д.Г.
Мочалов А.И.
Пугачевич В.П.
Сулимин А.Д.
Сулимина М.А.
Горнев Е.С.
Евдокимов В.Л.
Просий А.Д. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон"
Московский государственный институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: в электронной технике для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим р-n переходам и межсоединений. Сущность изобретения: на кремниевую подложку, в которой известными методами сформированы активные области и контактные окна в слое диэлектрика, маскирующем поверхность кремниевой подложки, наносят пленку трехкомпонентного сплава, первый компонент которого металл VIII группы Периодической системы (Со, Ni, Pt и др), второй - металл IV-VI группы (Ti, Ta, W), а тре
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента