|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II - VI ГРУПП |  |
Номер публикации патента: 2151457 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/32 H01L033/00 H01L021/363 H01L021/443 | | Аналоги изобретения: | EP 0380106, 01.08.1990. Journal of Crystal Growth 101(1990). North-Holland, W.HEIMBRODT, O.GOEDE et.al. "Optical study of ZnSe and (Zn, Mn) Se MBE Layers on GaAs", p.705-708. Journal of Crystal Growth 101(1990). North-Holland, Li HE, J.ZHONG et.al. "MBE growth of (111) CdTe on Znstabilized and Se-Stabilized(100)ZnSe", p.147-152. Appl. Phys.Lett., vol.59, no.11, 09.09.1991, US. M.A.HAASE et.al., "Blue-green laser diodes", p.1272-1274. SU 1831213, 22.08.1990. JP 53036189 A, 04.04.1978. Appl. Phys. Lett., vol.56, no.9,26.02.1990, US. M.Cheng, J.M.DePuydt, M.HAASE et.al., "Low-temperature growth of ZnSe by molecular beam epitaxy using cracked selenium", p.848-850. Appl.Phys. Lett., vol.57, no.20, 12.11.1990, US. R.M.Park, M.B.Troffer et.al., "p-type ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth", p.2127-2129. Japanese Journal of APPLIED PHYSICS, part 2, Letters, vol.30, no 2a, 01.02.1991, JP, K.OHKAWA, T.KARASAWA and T.MITSUYU, "Characteristics of p-type ZnSe Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy with Radical Doping", p.152-155. Journal of Crystal Growth 101(1990), North-Holland, M.MIGITA, A.TAIKE et.al., "p-type conduction of ZnSe highly doped with nitrogen by metalorganic molecular beam epitaxy", p.835-840. US 4868615, 19.09.1989. US 4955031, 09.04.1990. JP 02196475, 08.03.1990. RU 2012949, 15.04.1991. |
| Имя заявителя: | Миннесота Майнинг энд Мэнюфекчуринг Компани (US) | | Изобретатели: | Хаас Майкл А. (US)
Ченг Хва (US)
Депьюдт Джеймс М. (US)
Ки Юн (US) | | Патентообладатели: | Миннесота Майнинг энд Мэнюфекчуринг Компани (US) | | Номер конвенционной заявки: | 07/70,380 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде свободных радикалов, например группы V, свободные радикалы из группы, состоящей из N, As, P. При этом указанный слой из пп нагревают до температуры, достаточно высокой для поддержания роста кристаллов, но ниже 250°С, и в качестве варианта ниже 130-200°С. И полупроводниковое устройство II-VI групп, которое может быть использовано в лазерном диоде, включающее слой p-типа из пп II-VI групп, на первой стороне которого расположен омический контактный слой из кристаллического пп p-типа II-VI групп, легированный акцепторами поверхностного уровня энергии, например акцепторами азота, для обеспечения чистой концентрации акцепторов 1·1017см-3, или 1·1018см-3, или 1·1019см-3, и электропроводный электродный слой, характеризующийся энергией Ферми. Омический контактный слой имеет достаточно глубокие акцепторные уровни, достаточные для работы устройства при напряжениях на контактном слое менее 2 В. Причем слой p-типа из пп II-VI групп может быть выполнен из ZnSe, а электродный слой может включать слой материала, например металла, имеющего работу выхода по меньшей мере 5 В. Техническим результатом изобретения является создание нового способа изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на пп II-VI групп и создание пп устройства II-VI групп с использованием этого способа, например зелено-синего лазерного диода с длиной волны от 590 до 430 нм. 2 с. и 16 з.п.ф-лы, 14 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента