|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2136078 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/50 | | Аналоги изобретения: | Дуболазов В.А. и др. Технология сборки интегральных микросхем. - Киев, Выща школа, 1987, с.60-62. GB 2138205 A, 17.10.84. FR 2599893 A1, 11.12.87. RU 2003207 C1, 15.11.93. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко, Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко, Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) |
Реферат | |
Использование: при монтаже кристаллов полупроводниковых приборов в объеме подложки гибридной интегральной схемы или в основании корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - обеспечение за счет предотвращения деформации подложки повышения технологичности процесса и точности посадки кристалла. Сущность способа заключается в том, что на установочной поверхности выполняют углубление размером, превышающим размеры кристалла. С помощью захвата в виде инструмента с плоским торцем и капиллярным отверстием, расширяющимся к его торцу, захватывают кристалл и ориентируют его над углублением. Перед запрессовкой кристалла в углубление помещают дозированное количество связующего материала. Кристалл запрессовывают в связующий материал до упора части плоского торца инструмента, выступающей за габариты кристалла, в установочную поверхность. Запрессовку прекращают в момент выравнивания плоскости лицевой поверхности кристалла с поверхностью, в которой выполнено углубление, после чего отключают захват. 7 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента