Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер публикации патента: 2136078

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98112604 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/50    
Аналоги изобретения: Дуболазов В.А. и др. Технология сборки интегральных микросхем. - Киев, Выща школа, 1987, с.60-62. GB 2138205 A, 17.10.84. FR 2599893 A1, 11.12.87. RU 2003207 C1, 15.11.93. 

Имя заявителя: Самсунг Электроникс Ко, Лтд. (KR) 
Изобретатели: Иовдальский В.А.(RU) 
Патентообладатели: Самсунг Электроникс Ко, Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) 

Реферат


Использование: при монтаже кристаллов полупроводниковых приборов в объеме подложки гибридной интегральной схемы или в основании корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - обеспечение за счет предотвращения деформации подложки повышения технологичности процесса и точности посадки кристалла. Сущность способа заключается в том, что на установочной поверхности выполняют углубление размером, превышающим размеры кристалла. С помощью захвата в виде инструмента с плоским торцем и капиллярным отверстием, расширяющимся к его торцу, захватывают кристалл и ориентируют его над углублением. Перед запрессовкой кристалла в углубление помещают дозированное количество связующего материала. Кристалл запрессовывают в связующий материал до упора части плоского торца инструмента, выступающей за габариты кристалла, в установочную поверхность. Запрессовку прекращают в момент выравнивания плоскости лицевой поверхности кристалла с поверхностью, в которой выполнено углубление, после чего отключают захват. 7 з.п.ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"