|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2134468 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | SU 1578770 A1, 1990. US 4902967 A, 1990. RU 94030214 A1, 1996. RU 9402883 A1, 10.05.97. GB 2185327 A, 1987. US 4855253 A, 1989. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" | | Изобретатели: | Дюков В.Г.
Кибалов Д.С.
Смирнов В.К. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" |
Реферат | |
Использование: неразрушающие методы контроля полупроводниковых структур без формирования контактов. Сущность изобретения: выявляют контролируемые области в режиме потенциального контраста по контактным потенциалам. Облучают образец импульсным потоком оптического излучения. В режиме потенциального контраста с линеаризацией измеряют наведенную фотоЭДС, подбирают энергию и ток электронного зонда, интенсивность импульсов излучения, их длительность, частоту следования и уровень постоянной подсветки до выхода значений фотоЭДС в рабочую область. Регистрируют изображения. Осуществляют стробоскопию импульсов фотоЭДС, управляя анализатором энергии вторичных электронов, и производят измерения. Анализатор расположен наклонно относительно осей электронно-зондового устройства и детектора вторичных электронов и содержит два конических электрода, образующих иммерсионный объектив, и управляющий электрод - диафрагму. Техническим результатом изобретения является повышение точности и быстродействия контроля при одновременном увеличении числа определяемых параметров. 2 с.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента